IC芯片FIB测试

FIB应用：

1.IC芯片电路修改

用FIB对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试,以便更快更准确的验证设计方案。 若芯片部份区域有问题,可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能,以便找到问题的症结。

FIB还能在最终产品量产之前提供部分样片和工程片,利用这些样片能加速终端产品的上市时间。利用FIB修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数，缩短研发时间和周期。

2.Cross-Section 截面分析

用FIB在IC芯片特定位置作截面断层,以便观测材料的截面结构与材质,定点分析芯片结构缺陷。

3.Probing Pad

在复杂IC线路中任意位置引出测试点, 以便进一步使用探针台(Probe- station) 或 E-beam 直接观测IC内部信号。

4.FIB透射电镜样品制备

这一技术的特点是从纳米或微米尺度的试样中直接切取可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜。试样可以为IC芯片、纳米材料、颗粒或表面改性后的包覆颗粒，对于纤维状试样，既可以切取横切面薄膜也可以切取纵切面薄膜。对含有界面的试样或纳米多层膜，该技术可以制备研究界面结构的透射电镜试样。技术的另一重要特点是对原始组织损伤很小。

广州广电计量检测股份有限公司（GRGT）始建于1964年，是原信息产业部电子602计量站，经过50余年的发展，现已成为一家全国化、综合性的国有第三方计量检测机构，专注于为客户提供计量、检测、认证以及技术咨询与培训等专业技术服务，在计量校准、可靠性与环境试验、电磁兼容检测、集成电路检测、元器件失效分析与筛选等多个领域的技术能力及业务规模处于国内领先水平。

芯片可靠性验证 ( RA)：

芯片级预处理(PC) & MSL试验 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；

高温存储试验(HTSL), JESD22-A103 ；

温度循环试验(TC), JESD22-A104 ；

温湿度试验(TH / THB), JESD22-A101 ；

高加速应力试验(HTST / HAST), JESD22-A110；

高温老化寿命试验(HTOL), JESD22-A108；

芯片静电测试 ( ESD)：

人体放电模式测试(HBM), JS001 ；

元器件充放电模式测试(CDM), JS002 ；

闩锁测试(LU), JESD78 ；

TLP；Surge / EOS / EFT；

芯片IC失效分析 ( FA)：

光学检查(VI/OM) ；

扫描电镜检查(FIB/SEM)

微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

OBIRCH ；

Micro-probe;

聚焦离子束微观分析(FIB)； 

弹坑试验(cratering) ；

芯片开封(decap) ；

芯片去层(delayer)；

晶格缺陷试验(化学法)；

PN结染色 / 码染色试验；

推拉力测试(WBP/WBS)；

红墨水试验：

PCBA切片分析(X-section)；

芯片材料分析：

高分辨TEM (形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF)；

SEM (形貌观察、截面观察、膜厚测量、EBSD)；

Raman (Raman光谱)；

AFM (微观表面形貌分析、台阶测量)；

芯片分析服务：

ESD / EOS实验设计；

集成电路竞品分析；

AEC-Q100 / AEC-Q104开展与技术服务；

未知污染物分析 (污染物分析方案制定与实施，帮助客户全面了解污染物的理化特性，包括：化学成分组成分析、成分含量分析、分子结构分析、晶体结构分析等物理与化学特性分析材料理化特性全方位分析(有机高分子材料、小分子材料、无机非金属材料的成分分析、分子结构分析等)；

镀层膜层全方位分析 (镀层膜层分析方案的制定与实施，包括厚度分析、元素组成分析、膜层剖面元素分析)；

GRGT团队技术能力：

•集成电路失效分析、芯片良率提升、封装工艺管控

•集成电路竞品分析、工艺分析

•芯片级失效分析方案turnkey

•芯片级静电防护测试方案制定与平台实验设计

•静电防护失效整改技术建议

•集成电路可靠性验证

•材料分析技术支持与方案制定

半导体材料分析手法

芯片测试地点：广电计量-广州总部试验室、广电计量-上海浦东试验室。

芯片测试咨询及技术交流：

李绍政； 138-0884-0060 ；lisz @ grgtest.com

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