芯片可靠性验证RA

高温老化寿命试验(HTOL)

参考标准：JESD22-A108；

测试条件：

For devices containing NVM, endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.

Grade 0: +150℃ Ta for 1000 hours.

Grade 1: +125℃ Ta for 1000 hours.

Grade 2: +105℃ Ta for 1000 hours.

Grade 3: +  85℃ Ta for 1000 hours.

Vcc (max) at which dc and ac parametric are guaranteed. Thermal shut-down shall not occur during this test.

TEST before and after HTOL at room, hot, and cold temperature.

高加速应力试验(HAST)

参考标准：JESD22-A110；

测试条件：

Plastic Packaged Parts

Grade 0: +175℃ for 1000 hours or +150℃ for 2000 hours.

Grade 1: +150℃ for 1000 hours or +175℃ for   500 hours.

Grades 2 to 3: +125℃ for 1000 hours or +150℃ for   500 hours.

Ceramic Packaged Parts

    +250℃ for 10 hours or +200℃ for 72 hours.

TEST before and after HTSL at room and hot temperature.

* NOTE: Data from Test B3 (EDR) can be substituted for Test A6 (HTSL) if package and grade level requirements are met. 

高温存储试验(HTSL)

参考标准：JESD22-A103 ；

测试条件：

Plastic Packaged Parts

Grade 0: +175℃ for 1000 hours or +150℃ for 2000 hours.

Grade 1: +150℃ for 1000 hours or +175℃ for   500 hours.

Grade 2 to 3: +125℃ for 1000 hours or +150℃ for   500 hours.

Ceramic Packaged Parts

    +250℃ for 10 hours or +200℃ for 72 hours.

TEST before and after HTSL at room and hot temperature.

* NOTE: Data from Test B3 (EDR) can be substituted for Test A6 (HTSL) if package and grade level requirements are met.

GRGT目前具有以下芯片相关测试能力及技术服务能力：

芯片可靠性验证 ( RA)：

芯片级预处理(PC) & MSL试验 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；

高温存储试验(HTSL), JESD22-A103 ；

温度循环试验(TC), JESD22-A104 ；

温湿度试验(TH / THB), JESD22-A101 ；

高加速应力试验(HTSL / HAST), JESD22-A110；

高温老化寿命试验(HTOL), JESD22-A108；

芯片静电测试 ( ESD)：

人体放电模式测试(HBM), JS001 ；

元器件充放电模式测试(CDM), JS002 ；

闩锁测试(LU), JESD78 ；

TLP；Surge / EOS / EFT；

芯片IC失效分析 ( FA)：

光学检查(VI/OM) ；

扫描电镜检查(FIB/SEM)

微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

OBIRCH ；Micro-probe;

聚焦离子束微观分析(FIB)； 

弹坑试验(cratering) ；芯片开封(decap) ；

芯片去层(delayer)；晶格缺陷试验(化学法)；

PN结染色 / 码染色试验；

推拉力测试(WBP/WBS)；红墨水试验：

PCBA切片分析(X-section)；

芯片材料分析：

高分辨TEM (形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF)；

SEM (形貌观察、截面观察、膜厚测量、EBSD)；

Raman (Raman光谱)；AFM (微观表面形貌分析、台阶测量)；

芯片分析服务：

ESD / EOS实验设计；

集成电路竞品分析；

AEC-Q100 / AEC-Q104开展与技术服务；

芯片测试地点：广电计量-广州总部试验室、广电计量-上海浦东试验室。

⼴电计量从1964年开始从事计量检定工作，是原信息产业部电子602计量站，历经五十余年的技术 沉淀，持续变革创新，实现跨越式发展，成⻓为⼀家全国性、综合化、J民融合的国有第三方计量检测机构，专业提供计量校准、产品检测及认证、分析评价、咨询培训、检测装备及软件系统研发等技术服务和 产品，获得了CNAS、DILAC、CMA、CATL，以及“J工四证”等政府和⾏业众多权威机构的认可资质。

依据各⾏业及领域客户的需求，⼴电计量精⼼打造出涵盖计量校准、可靠性与环境试验、电磁兼容 检测、化学分析、⻝品农产品检测、环保检测、产品认证、技术咨询与培训、质检⾏业信息化系统开发、测控产品研发的⼀站式计量检测技术服务和产品，贯穿企业品质管控全过程。

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